BC817RAZ دیتاشیت

BC817RAZ

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت BC817RAZ
حجم فایل 53.624 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 11

مشاهده دیتاشیت BC817RAZ

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: Nexperia BC817RAZ
  • Transistor Type: 2 NPN
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 500mA
  • Power Dissipation (Pd): 500mW
  • Transition Frequency (fT): 100MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 160@100mA,1V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 100nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 45V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 700mV@500mA,50mA
  • Package: DFN-6-EP(1.4x1.2)
  • Manufacturer: Nexperia

محصولات مشابه